NF C80-203-2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
作者:标准资料网 时间:2024-05-08 22:40:43 浏览:8536
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【英文标准名称】:Semiconductordevices-Mobileiontestsformetal-oxidesemiconductorfieldeffecttransistors(MOSFETs).
【原文标准名称】:半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
【标准号】:NFC80-203-2010
【标准状态】:现行
【国别】:法国
【发布日期】:2010-11-01
【实施或试行日期】:2010-11-27
【发布单位】:法国标准化协会(FR-AFNOR)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:涂层;降解;电气工程;电子设备及元件;电离;测量;测量技术;迁移;迁移(化学);金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET);氧化物;升高;半导体器件;硅;应力;温度;温升;试验;试验条件;阈值电压;晶体管;薄片
【英文主题词】:Coatings;Degradation;Electricalengineering;Electronicequipmentandcomponents;Ionization;Measurement;Measuringtechniques;Migration;Migration(chemical);MOSFET;Oxides;Rise;Semiconductordevices;Silicon;Stress;Temperature;Temperaturerise;Testing;Testingconditions;Thresholdvoltage;Transistors;Wafers
【摘要】:
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:31_200
【页数】:11P;A4
【正文语种】:其他
【原文标准名称】:半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
【标准号】:NFC80-203-2010
【标准状态】:现行
【国别】:法国
【发布日期】:2010-11-01
【实施或试行日期】:2010-11-27
【发布单位】:法国标准化协会(FR-AFNOR)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:涂层;降解;电气工程;电子设备及元件;电离;测量;测量技术;迁移;迁移(化学);金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET);氧化物;升高;半导体器件;硅;应力;温度;温升;试验;试验条件;阈值电压;晶体管;薄片
【英文主题词】:Coatings;Degradation;Electricalengineering;Electronicequipmentandcomponents;Ionization;Measurement;Measuringtechniques;Migration;Migration(chemical);MOSFET;Oxides;Rise;Semiconductordevices;Silicon;Stress;Temperature;Temperaturerise;Testing;Testingconditions;Thresholdvoltage;Transistors;Wafers
【摘要】:
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:31_200
【页数】:11P;A4
【正文语种】:其他
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